消息称联电22nm高压制程最快明年首季试产验证，为三星代工OLED驱动芯片

　　12 月 13 日消息，据中国台湾媒体《经济日报》报道，联电与三星合作开发的 22nm 高压制程最快明年首季开始试产验证，届时将为三星代工新的 OLED 驱动 IC。

　　▲ 图源：经济日报

　　据悉，联电方面证实，22nm 高压制程正因应客户需求开发中，但无法透露客户名称。台媒分析称目前 OLED 驱动 IC 厂商中仅有三星有能力导入联电的 22nm 高压制程，最快明年第 1 季开始小量试产验证，初期产能数千片，之后逐步放大至数万片。

　　该报道指出，联电 22nm 制程与原来 28nm 制程相比，能够缩减 10%的晶粒面积，且拥有更佳功率效能比和更强的射频性能。22nm 高压制程则从原来可支持的 1。8V/3。3V/5V/8V 提高至最大支持 10V/18V。